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强茂电子的PJMK040N60EC
有意向请联系戴生13360582755先进制程与低损耗设计采用屏蔽栅沟槽技术（SGT），在 60V 耐压等级下实现典型导通电阻 40mΩ（
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2025-05-13 |
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强茂肖特基二极管SBM1045VCT
有意向请联系戴生13360582755一、核心产品特性超低正向压降技术采用沟槽工艺优化的肖特基势垒结构，在额定电流下典型正向压降仅
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2025-05-13 |
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强茂PJQ5968A-AU为60V双N沟道增强型MOSFE
有意向请联系戴生13360582755一、核心产品特性先进制程技术采用屏蔽栅沟槽技术（SGT），通过在栅极下方增加屏蔽电极，显著降低米
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2025-05-13 |
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强茂PJW5N06A-AU增强型MOSFET
有意请联系戴生：13360582755基本特性它是一款采用增强型设计的 N 沟道 MOSFET，意味着在栅源电压大于阈值电压时，器件才会导通
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2025-05-13 |
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强茂稳压二极管PZS52C10M1Q
基本说明PZS52C10M1Q 是强茂推出的一款稳压二极管，属于其 PZS 系列产品。它采用了先进的半导体制造工艺，利用 PN 结反向击穿后
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2025-05-12 |
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强茂中压mos管PJQ2566
【强茂中压mos管PJQ2566】基本说明PJQ2566 属于强茂的中压 MOS 管系列产品，采用了先进的半导体制造工艺，具有 P 沟道结构。P 沟
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2025-05-12 |
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强茂桥堆GBJ3506ULV
【】基本说明强茂桥堆GBJ3506ULV以其低正向压降、低漏电流和高可靠性等特点，广泛应用于计算机、游戏机、服务器、空调等多种电子
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2025-05-12 |
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强茂N型沟道增强型MOSFET PSMN015N10NS2
强茂PSMN015N10NS2】基本说明PSMN015N10NS2是一款采用半导体工艺制造的100V N型沟道增强型MOSFET。该产品具有极低的导通电阻（R
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2025-05-12 |
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