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PSMN015N10NS2是一款采用半导体工艺制造的100V N型沟道增强型MOSFET。
该产品具有极低的导通电阻（R DS(ON) < 1.5 mΩ at V GS = 10 V, I D = 100 A），高开关速度以及低反向传输电容，确保了高效的能量转换和优异的电气性能。应用领域PSMN015N10NS2凭借其出色的性能
【强茂PSMN015N10NS2】适用范围
在多个领域展现出了广泛的应用前景：
能源存储系统（ESS）：在太阳能电池板、电池管理系统等应用中，PSMN015N10NS2能够高效控制电流的通断，提高能源转换效率。
不间断电源（BBU）：为关键设备提供稳定电力保障，确保在市电中断时仍能正常运行。
电动交通工具（LEV）：在电动汽车、电动自行车等交通工具中，PSMN015N10NS2能够高效管理电池输出，提升续航能力。
电池充电系统（BSG）：在快速充电站、家用充电器等设备中，确保充电过程的安全与高效。特征优势低导通电阻：在V GS = 10 V, I D = 100 A的条件下，导通电阻低至1.5 mΩ，有效降低功率损耗。高开关速度：快速响应，减少开关过程中的能量损失，提高系统效率。低反向传输电容：减少信号干扰，提高电路的稳定性。绿色环保：符合RoHS 2.0标准，采用绿色封装材料，符合现代环保要求。高可靠性：经过严格测试，确保在各种应用环境中的稳定性和耐用性。
【强茂PSMN015N10NS2】参数规格
参数名称 符号测试 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
漏源电压 VDS - 100 - - V
栅源电压 VGS - ±20 - - V
连续漏极 ID RθJC 398 - - A
（25℃）
连续漏极 ID RθJC 281 - - A
电流（100℃）
连续漏极 ID RθJA 34 - - A
电流（25℃环境）
连续漏极电流 ID RθJA 28 - - A
（70℃环境）
脉冲漏极电流 IDM RθJC 1592 - - A
（25℃）
单脉冲雪崩电流IAS - 80 - - A
单脉冲雪崩能量 EAS - 1152 - - mJ
功率损耗（25℃）PD RθJC 500 - - W
功率损耗（100℃）PD RθJC 250 - - W
功率损耗（25℃环境）PD RθJA 3.8 - - W
功率损耗（70℃环境）PD RθJA 2.6 - - W
漏源导通电阻（10V栅压）RDS(on)I D =100A - 1.21.5 mΩ
漏源导通电阻（6V栅压）R DS(on)I D = 50 A - 1.62.4 mΩ
零栅压漏电流 IDSS VDS = 100 V, VGS = 0 V- - 5 μA
栅源漏电流 I GSSV GS = ±20 V, V DS = 0 V- - ±100 nA
总栅电荷 QgV DS = 50 V, I D = 100 A, V GS = 10 V- 128166 nC
输入电容 CissV DS = 50 V, V GS = 0 V, f = 250 kHz- 964012500 pF
输出电容 Coss - 3670 - 4770 pF
反向传输电容 Crss - 39 - - pF
开启延迟时间t d(on)V DD = 50 V, I D = 100 A, V GS = 10 V, R G = 1.8 Ω-24.5-ns
上升时间 tr - 8.9 - - ns
关断延迟时间 td(off) - 44.8 - - ns
下降时间 tf - 10.2 - - ns
栅极电阻 Rg f= 1.0MHz - 0.5 1.0 Ω
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
了解详情请联系戴生13360582755
原文链接：http://www.weishidun.net/chanpin/22445.html，转载和复制请保留此链接。
以上就是关于强茂N型沟道增强型MOSFET PSMN015N10NS2全部的内容，关注我们，带您了解更多相关内容。
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