国星光电G0808ALED芯片

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【国星光电G0808A】基本说明

1. 芯片尺寸与结构
   • 型号中的 “0808” 代表芯片尺寸为08mil×08mil（约 200μm×200μm），厚度约 95±5μm，属于小尺寸正装芯片。
   • 采用InGaN 多量子阱（MQW）结构，电极金属为铝（Al），正极尺寸 82±2μm，负极尺寸 72±2μm，支持中等粘度蓝膜包装。
2. 光电性能指标
   • 光功率与波长：根据同类产品推测，G0808A 可能覆盖蓝光（450-470nm）或白光（2700-6500K）波段，光功率输出在1-5mW范围，正向电压分档精度较高。
   • 可靠性设计：包覆金电极工艺可提升抗腐蚀能力与导电性，结合国星光电热压共晶封装技术（热阻低至 1.1℃/W），可能满足 - 40℃至 85℃宽温域运行需求。

【国星光电G0808A】产品特点

1. 封装工艺创新
   G0808A 的包覆金电极设计与国星光电自主研发的热压共晶焊接技术（焊接空洞率 < 5%）结合，可显著提升器件散热性能与机械强度，适用于对可靠性要求严苛的场景。
2. 高色纯度与一致性
   高色纯度特性使其在显示领域具备优势，例如用于 AR 设备、车载显示屏等需要精准色彩还原的场景，可能支持 DCI-P3≥90% 的广色域表现。
3. 成本与量产能力
   作为成熟的小尺寸芯片方案，G0808A 可通过规模化量产降低成本，适用于对价格敏感的消费电子市场，同时兼容万级洁净度产线的自动化生产需求。

【国星光电G0808A】参数规格

  产品尺寸（mil）                应用电流（mA）                电极尺寸（um）                产品性能