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强茂PB4413-DFA保护组件
一、产品简介PB4413-DFA超低电容ESD保护具有低泄漏电流和低钳位电压，采用DFN250A-10L封装，电容为0.38pF。非常适用于计算、消费
2025-06-09 11:14
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强茂PB5635S26
PB5635-S26低电容ESD保护器采用紧凑型SOT-23 6L-1封装具有低漏电流评级，为1uA。它非常适用于显示器/平板显示器、视频图形卡和数
2025-06-09 10:45
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强茂 PEC33712C2A-AU
产品型号：PEC33712C2A-AU，属于电路保护类的静电防护器件（ESD）4。封装形式：SOT-23，这种封装形式具有体积小、重量轻等优点，
2025-06-09 09:59
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强茂BAS116TB小信号开关二极管
一、产品简介：BAS116TB 100V表面贴装低漏电开关二极管具有极低的漏电流和低电容，功率额值为150毫瓦。它设计用于高频操作，特别
2025-06-06 16:54
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强茂碳化硅二极管PCDD0465GB
一、产品简介：PCDD0465GB是一款650V硅碳化物（SiC）肖特基势垒二极管，专为电力电子应用设计。该产品为低Vf系列，在额定电流下
2025-06-06 16:16
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强茂PCDP08120GB碳化硅二极管
一、基本说明：PCDP08120GB 1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，在定电流下具有竞争力的VF 1.4V。它在高温下具有优异的反向泄
2025-06-06 15:49
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强茂PJMN060N65FR2超级结MOSFET
一、产品特点: RDS(ON) Max, VGS@10V: 60mΩ ，具有快速复原特性的二极管，拥有高速开关和低RDS(ON) ， 100%通过了雪崩测试
2025-06-06 14:48
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强茂PJD60R900S高压MOSFET
一、基本说明：PJD60R900S 600V沟道增强型MOSFET具有高速开关特性，电流额定值为4.5A，采用TO-252AA封装。该MOSFET设计有较低的
2025-06-06 14:19
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强茂STRN30100LCB功率肖特基二极管
一、产品简述STRN30100LCB 100V表面贴装低VF肖特基势垒整流器提供正向电压降和低功耗，额定电流为30A。该产品专门为高浪涌电流能
2025-06-05 16:53
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强茂SB1040CD-AU功率肖特基二极管
一、基础参数参数名称数值 / 描述型号SB1040CD-AU封装形式TO-252（三引脚贴片封装）反向耐压（VR）40V平均整流电流（IF (AV)）10
2025-06-05 16:02
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强茂MBR10100CD-AU功率肖特基二极管
封装形式：采用 TO-252 封装，这种封装形式具有较好的散热性能，能够适应一定功率的工作环境，同时也便于在电路板上进行焊接安装
2025-06-05 15:40
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强茂小信号肖特基二极管BAS100CS-AU
【小信号肖特基二极管】基本说明一、封装与机械性封装形式：采用 SOD-323 封装，尺寸约为 2.8mm1.5mm，这种小型化封装适合空间受
2025-06-05 15:00
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强茂小信号肖特基二极管BAT41ES
一、基本说明BAT41ES 100V表面贴装肖特基二极管具有极高的开关速度，额定电流为200mA在SOD-523表面贴装封装中，它非常适合自动插
2025-06-05 11:45
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强茂PJQ44605AP-AU中压MOSFET
PJQ44605AP-AU是一款坚固可靠的-60V P沟道增强型MOSFET，采用DFN333-8L封装，旨在简化电路设计。该产品符合汽车电子委员会（AEC
2025-06-04 17:08
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强茂PSMQF020N08NS2中压MOSFET
【】基本说明PSMQF020N08NS2 80V N沟道增强型MOSFET具有高速开关和低反向转移电容额定电流为307A。它已通过100% UIS和栅极电阻（
2025-06-04 16:15
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强茂PJQ4455P-AU低压MOSFET
【MOSFET】基本说明PJQ4455P-AU -40 V P沟道增强型MOSFET专为可靠和坚固的性能而设计额定电流为-43 A。符合AEC-Q101汽车标准和10
2025-06-04 16:01
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强茂PJB140P04E7-AU低压MOSFET
【MOSFET】适用范围Ω100% UIS测试 【MOSFET】基本说明PJB140P04E7-AU -40V P沟道增强型MOSFET专为可靠和坚固的性能设计，
2025-06-04 15:18
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强茂PJX8828-AUMOSFET
【MOSFET】基本说明PJX8828-AU 30V N沟道增强模式MOSFET采用先进的槽道工艺技术，并已按照电子委员会（AEC）标准Q101进行认证。
2025-06-04 14:50
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强茂High Speed IGBT款PTGH4065S1
【High Speed IGBT】基本说明PTGH4065S1 采用field-stop trench技术设计，具有高密度的槽道单元设计。该设计采用 TO-24-3L 封装
2025-06-03 16:05
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强茂肖特基二极管BAS100CS
【BAS100CS】基本说明1.封装与机械特性封装形式：SOD-323（尺寸约 2.8mm1.5mm）适合空间受限的电路设计。端子可靠性：符合表面贴
2025-06-03 15:32
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