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强茂碳化硅二极管PCDD0465GB
一、产品简介：PCDD0465GB是一款650V硅碳化物（SiC）肖特基势垒二极管，专为电力电子应用设计。该产品为低Vf系列，在额定电流下
2025-06-06 16:16
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强茂PCDP08120GB碳化硅二极管
一、基本说明：PCDP08120GB 1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，在定电流下具有竞争力的VF 1.4V。它在高温下具有优异的反向泄
2025-06-06 15:49
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强茂PJMN060N65FR2超级结MOSFET
一、产品特点: RDS(ON) Max, VGS@10V: 60mΩ ，具有快速复原特性的二极管，拥有高速开关和低RDS(ON) ， 100%通过了雪崩测试
2025-06-06 14:48
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强茂PJD60R900S高压MOSFET
一、基本说明：PJD60R900S 600V沟道增强型MOSFET具有高速开关特性，电流额定值为4.5A，采用TO-252AA封装。该MOSFET设计有较低的
2025-06-06 14:19
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强茂STRN30100LCB功率肖特基二极管
一、产品简述STRN30100LCB 100V表面贴装低VF肖特基势垒整流器提供正向电压降和低功耗，额定电流为30A。该产品专门为高浪涌电流能
2025-06-05 16:53
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强茂SB1040CD-AU功率肖特基二极管
一、基础参数参数名称数值 / 描述型号SB1040CD-AU封装形式TO-252（三引脚贴片封装）反向耐压（VR）40V平均整流电流（IF (AV)）10
2025-06-05 16:02
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强茂MBR10100CD-AU功率肖特基二极管
封装形式：采用 TO-252 封装，这种封装形式具有较好的散热性能，能够适应一定功率的工作环境，同时也便于在电路板上进行焊接安装
2025-06-05 15:40
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强茂小信号肖特基二极管BAS100CS-AU
【小信号肖特基二极管】基本说明一、封装与机械性封装形式：采用 SOD-323 封装，尺寸约为 2.8mm1.5mm，这种小型化封装适合空间受
2025-06-05 15:00
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强茂小信号肖特基二极管BAT41ES
一、基本说明BAT41ES 100V表面贴装肖特基二极管具有极高的开关速度，额定电流为200mA在SOD-523表面贴装封装中，它非常适合自动插
2025-06-05 11:45
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强茂肖特基二极管BAS100CS
【BAS100CS】基本说明1.封装与机械特性封装形式：SOD-323（尺寸约 2.8mm1.5mm）适合空间受限的电路设计。端子可靠性：符合表面贴
2025-06-03 15:32
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强茂表面装贴肖特基二极管BAS100AS
【BAS100AS】基本说明电气性能：低正向压降设计（典型值 0.6V）可降低导通损耗，结合高抗浪涌电流能力（非重复峰值电流 6A），适
2025-06-03 15:16
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强茂表面装贴肖特基二极管BAS100AS
【BAS100AS】基本说明电气性能：低正向压降设计（典型值 0.6V）可降低导通损耗，结合高抗浪涌电流能力（非重复峰值电流 6A），适
2025-06-03 14:49
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强茂小信号肖特基二极管1SS417TM
有意向请致电戴生13360582755【二极管1SS417TM】基本说明1SS417TM （45V）为表面贴装的肖特基势二极管，专为高速开关应用、电路
2025-06-03 13:44
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强茂稳压二极管PZS52C10M1Q
基本说明PZS52C10M1Q 是强茂推出的一款稳压二极管，属于其 PZS 系列产品。它采用了先进的半导体制造工艺，利用 PN 结反向击穿后
2025-05-12 17:05
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