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强茂 PJD40P03E-AU P 沟道 MOSFET

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品牌: 强茂
电压: 40V
单价: 1.00元/个
起订: 1000 个
供货总量: 1000 个
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 广东 广州市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2025-05-14 17:03
浏览次数: 0
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公司基本资料信息
详细说明
 

有意向请联系戴生 13360582755 超毅电子代理强茂全线

【】基本说明

强茂 PJD40P03E-AU 是一款专为汽车电子和工业控制设计的P 沟道 MOSFET

  • 车规级可靠性:参考强茂同类产品(如 PJQ 系列),推测该型号通过AEC-Q101 认证1119,可在 - 55℃至 + 175℃极端温度下稳定工作,适用于车载电机驱动、电源管理等高可靠性场景。
  • 低导通损耗:可能采用强茂屏蔽栅沟槽技术(SGT)2526,在 40V 电压下实现低导通电阻(RDS (ON)),例如同系列 PJD75P04E-AU 的 RDS (ON) 低至 7.5-9.4mΩ18,有效降低能源损耗。
  • 封装与散热:可能采用DFN5060-8L 或 TO-252AA等小型化封装25,支持高密度电路板布局,同时提供良好的散热性能。

【】参数规格

【】产品特点

【】适用范围

  1. 汽车电子
    • 车窗升降、座椅调节等小功率电机驱动,通过 H 桥拓扑实现正反转控制。
    • 车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器中的同步整流应用,提升能效。
    • 车身控制器(BCU)、ADAS 系统中的电源开关与负载管理。
  2. 工业与消费电子
    • 伺服驱动器中的三相逆变器开关,控制电机启停与调速。
    • 光伏逆变器的 MPPT(最大功率点跟踪)电路,适配 40V 以下低压场景。
    • 智能家居设备(如智能插座)的负载控制与过流保护。
原文链接:http://www.weishidun.net/chanpin/22538.html,转载和复制请保留此链接。
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