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强茂PJD60R900S高压MOSFET
一、基本说明：PJD60R900S 600V沟道增强型MOSFET具有高速开关特性，电流额定值为4.5A，采用TO-252AA封装。该MOSFET设计有较低的
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2025-06-06 |
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强茂STRN30100LCB功率肖特基二极管
一、产品简述STRN30100LCB 100V表面贴装低VF肖特基势垒整流器提供正向电压降和低功耗，额定电流为30A。该产品专门为高浪涌电流能
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2025-06-05 |
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强茂SB1040CD-AU功率肖特基二极管
一、基础参数参数名称数值 / 描述型号SB1040CD-AU封装形式TO-252（三引脚贴片封装）反向耐压（VR）40V平均整流电流（IF (AV)）10
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2025-06-05 |
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强茂MBR10100CD-AU功率肖特基二极管
封装形式：采用 TO-252 封装，这种封装形式具有较好的散热性能，能够适应一定功率的工作环境，同时也便于在电路板上进行焊接安装
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2025-06-05 |
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强茂小信号肖特基二极管BAS100CS-AU
【小信号肖特基二极管】基本说明一、封装与机械性封装形式：采用 SOD-323 封装，尺寸约为 2.8mm1.5mm，这种小型化封装适合空间受
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2025-06-05 |
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强茂小信号肖特基二极管BAT41ES
一、基本说明BAT41ES 100V表面贴装肖特基二极管具有极高的开关速度，额定电流为200mA在SOD-523表面贴装封装中，它非常适合自动插
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2025-06-05 |
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强茂PJQ44605AP-AU中压MOSFET
PJQ44605AP-AU是一款坚固可靠的-60V P沟道增强型MOSFET，采用DFN333-8L封装，旨在简化电路设计。该产品符合汽车电子委员会（AEC
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2025-06-04 |
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强茂PSMQF020N08NS2中压MOSFET
【】基本说明PSMQF020N08NS2 80V N沟道增强型MOSFET具有高速开关和低反向转移电容额定电流为307A。它已通过100% UIS和栅极电阻（
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2025-06-04 |
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