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强茂碳化硅二极管PCDD0465GB
一、产品简介：PCDD0465GB是一款650V硅碳化物（SiC）肖特基势垒二极管，专为电力电子应用设计。该产品为低Vf系列，在额定电流下
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2025-06-06 |
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强茂PCDP08120GB碳化硅二极管
一、基本说明：PCDP08120GB 1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，在定电流下具有竞争力的VF 1.4V。它在高温下具有优异的反向泄
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2025-06-06 |
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强茂PJMN060N65FR2超级结MOSFET
一、产品特点: RDS(ON) Max, VGS@10V: 60mΩ ，具有快速复原特性的二极管，拥有高速开关和低RDS(ON) ， 100%通过了雪崩测试
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2025-06-06 |
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强茂PJD60R900S高压MOSFET
一、基本说明：PJD60R900S 600V沟道增强型MOSFET具有高速开关特性，电流额定值为4.5A，采用TO-252AA封装。该MOSFET设计有较低的
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2025-06-06 |
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强茂STRN30100LCB功率肖特基二极管
一、产品简述STRN30100LCB 100V表面贴装低VF肖特基势垒整流器提供正向电压降和低功耗，额定电流为30A。该产品专门为高浪涌电流能
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2025-06-05 |
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强茂SB1040CD-AU功率肖特基二极管
一、基础参数参数名称数值 / 描述型号SB1040CD-AU封装形式TO-252（三引脚贴片封装）反向耐压（VR）40V平均整流电流（IF (AV)）10
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2025-06-05 |
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强茂MBR10100CD-AU功率肖特基二极管
封装形式：采用 TO-252 封装，这种封装形式具有较好的散热性能，能够适应一定功率的工作环境，同时也便于在电路板上进行焊接安装
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2025-06-05 |
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强茂小信号肖特基二极管BAS100CS-AU
【小信号肖特基二极管】基本说明一、封装与机械性封装形式：采用 SOD-323 封装，尺寸约为 2.8mm1.5mm，这种小型化封装适合空间受
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2025-06-05 |
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