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强茂PSMQF020N08NS2中压MOSFET
【】基本说明PSMQF020N08NS2 80V N沟道增强型MOSFET具有高速开关和低反向转移电容额定电流为307A。它已通过100% UIS和栅极电阻（
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2025-06-04 |
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强茂PJQ4455P-AU低压MOSFET
【MOSFET】基本说明PJQ4455P-AU -40 V P沟道增强型MOSFET专为可靠和坚固的性能而设计额定电流为-43 A。符合AEC-Q101汽车标准和10
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2025-06-04 |
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强茂PJB140P04E7-AU低压MOSFET
【MOSFET】适用范围Ω100% UIS测试 【MOSFET】基本说明PJB140P04E7-AU -40V P沟道增强型MOSFET专为可靠和坚固的性能设计，
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2025-06-04 |
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强茂PJX8828-AUMOSFET
【MOSFET】基本说明PJX8828-AU 30V N沟道增强模式MOSFET采用先进的槽道工艺技术，并已按照电子委员会（AEC）标准Q101进行认证。
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2025-06-04 |
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强茂High Speed IGBT款PTGH4065S1
【High Speed IGBT】基本说明PTGH4065S1 采用field-stop trench技术设计，具有高密度的槽道单元设计。该设计采用 TO-24-3L 封装
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2025-06-03 |
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强茂肖特基二极管BAS100CS
【BAS100CS】基本说明1.封装与机械特性封装形式：SOD-323（尺寸约 2.8mm1.5mm）适合空间受限的电路设计。端子可靠性：符合表面贴
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2025-06-03 |
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强茂表面装贴肖特基二极管BAS100AS
【BAS100AS】基本说明电气性能：低正向压降设计（典型值 0.6V）可降低导通损耗，结合高抗浪涌电流能力（非重复峰值电流 6A），适
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2025-06-03 |
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强茂表面装贴肖特基二极管BAS100AS
【BAS100AS】基本说明电气性能：低正向压降设计（典型值 0.6V）可降低导通损耗，结合高抗浪涌电流能力（非重复峰值电流 6A），适
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2025-06-03 |
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